近年来，为了防止化石燃料枯竭和全球变暖，人们正在追求提高能源利用率和减少二氧化碳排放方面作出了努力。包括了马达驱动等工业应用，开关电源等民生应用，以及电动汽车和铁路、太阳能发电和风力发电等可再生能源应用等，使用功率半导体器件的高效率电力变换装置其适用领域和市场正在急速扩大。在功率半导体器件中，IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块具有高速开关、大功率高效率和容易操控的特征，它在其应用领域中的使用不断扩大。

      富士电机的IGBT模块在进入市场以来，凭借多项技术创新实现了更低的损耗以及结构的小型化。这些创新在电力变换装置的高效率、小型化、高性价比作出了贡献。然而，IGBT模块尺寸的小型化会导致IGBT模块在高功率密度时，结温升高和可靠性降低。为了进一步实现模块的小型化和高效率，富士电机的第7代IGBT模块「X系列」诞生。图1是第7代X系列的芯片和第6代V系列的芯片的剖面图。由于第7代X系列IGBT采用了极薄的晶元制造技术（更薄的漂移层）和细微的沟槽栅结构，使得导通电压和开关损耗得到进一步降低，从而使得它在损耗方面的表现比我们第六代V系列IGBT有了突飞猛进的进步。除此之外，还优化了场截止层，这能够更好的抑制电压振荡，降低了高温下的漏电流。

富士电机一直在致力于技术的创新，在环境和能源领域做出自己的贡献。